MSX 美股每日观察： FMS 2026 存储峰会： HBF 标准首发，三星、 SK 海力士、美光集体押注产能

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　　今日观察

　　FMS 2026 于 8 月 4–6 日在美国圣克拉拉举行，这是全球最大独立存储产业峰会的第 21 届。三家巨头在同一场会上给“AI 内存墙”交出了三份互不兼容的答卷：SK 海力士与闪迪联合发布高带宽闪存（HBF）首个标准规格，在 HBM 之下补出新的一级；三星拿出 400 层以上的 BV-NAND，首次采用晶圆键合工艺往上堆；铠侠则把直接冷板液冷第一次装进企业级 SSD，从散热端解约束。

　　数据一分钟

　　• HBF 首个标准规格由 SK 海力士与闪迪通过 OCP 发布，支持 8 层与 16 层堆叠，单颗容量最高 512GB

　　• HBF 读带宽区间 0.4–3.0 TB/s，上限已进入 HBM4 的带宽区间，但官方定位为 HBM 之下新增的一级，不替代 HBM

　　• 三星发布 V10 BV-NAND，堆叠 400 层以上，为业界首次采用晶圆键合工艺

　　• 三星同步预览 zHBM 与 zNAND-O，均处于概念阶段，尚未量产

　　• SK 海力士发布第 10 代 375 层 4D NAND，能效比较上一代提升 2.5 倍

　　• 铠侠 CM10 为首款将 PCIe 6.0、332 层 BiCS10 与直接冷板液冷结合的企业级 SSD

　　• 据报道，三星 HBM 月产能将从约 17 万片晶圆提升至约 25 万片，增幅约 47%，目标 2026 年底达成

　　MSX View

　　本届峰会最值得留意的信号不在任何一款具体产品，而在存储在 AI 系统中的位置发生了变化。散热预算从 GPU 一路外溢到 SSD，HBM 之下要新增一级都指向同一件事：存储已经成为了决定算力能否跑满的约束条件。需要提醒的是，HBF 虽然带宽上限已触及 HBM4 区间，但其底层介质仍是闪存，延迟与写入寿命与 DRAM 不在同一量级，官方定位始终是增量层而非替代品，这一点在传播中最容易被放大误读。更需要观察的是，三条路线互不兼容、行业标准远未收敛，三家却已同步把产能押下去。产能决策远早于需求兑现，这正是存储周期的根源。短期看，同步扩产是 AI 需求被三家共同确认的信号；中期看，供给节奏能否与需求对上，才是这轮周期真正的变量。

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